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引言
橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學清洗的GaP(OOl)表面。SE數據清楚地表明，溶液在浸入樣品后(W1分鐘)會立即去除自然氧化?膜。然而，SE數據表明，自然氧化膜不能被完全蝕刻去除。這是因為蝕刻后的樣品一暴露在空氣中，氧化 物就開始重新生長。SE估計粗糙度約為1納米，而原子力顯微鏡粗糙度值約為0.3納米。XPS光譜證實了自- 然氧化物的去除以及HF蝕刻的GaP表面上再生長氧化物的存在。潤濕性測量表明，經氫氟酸清洗的表面是 疏水性的，這與經堿清洗的表面(親水性)形成直接對比。價格指數略有上升。在HF水溶液中蝕刻后，強度 也提高了。2007年美國物理研究所。
介紹
HF蝕刻導致的形態學變化，這些變化進入我們使用SE數據的光學?建模。
磷化鐐(GaP)因其在光電和高溫電子傳輸器件中的應用而成為 最重要的xiii-V半導體之一。
由于其高反應性，GaP表面在室溫空氣中容易氧化，形成幾納米 厚的天然氧化膜。清潔的材料表面對于各種半導體器件技術來說 是絕對必要的。
有幾種表面清潔技術可用于
其中，化學清洗是最簡單和最容易控制的，已被廣泛 應用于 GaAs2-13 磷化錮、這些研究中使用的主要是酸性物質(HCU HF、H2SO2/H2O2等) 。)和堿性(氫氧化鉀、NH2OH等)。)解決方案。
為濕化學清洗的參考資料提供了一個有用的指南 在iii-v族半導體上完成的工作。然而，關于GaP表面清洗的文獻 仍然有限17, 18o
僅發表了關于在酸性(HCI)中化學清洗GaP表面的報告(參考文獻 o 17)和堿性(氫氧化鉀。裁判。18)解決方案。迄今為止，尚未在酸性氫氟酸溶液中進行清 洗研究。在硅技術中，眾所周知，高頻清洗司以去除 天然氧化物，留下穩定的硅表面，由原子氫終止。
在這篇文章中「我們3艮道了用橢偏光譜(SE)、離位原子力顯 微鏡(AFM)、x射線光電子能譜(XPS)研究了HF溶液中表 面的化學清洗效應。潤濕性和光致發光光譜。硒是一種高度表面 敏感的技術，不僅能檢測吸附物質對表面的亞納米覆蓋，還能檢 測其尺寸小于光波長的表面粗糙度。20原子力顯微鏡用于獨立評本研究中使用的GaP樣品是電阻率約為0.15 Q?cm的n型晶片。樣品首先在超聲波浴中用有機溶劑脫脂， 然后用去離子水沖洗。沒有對樣品表面進行進一步清潔。然后， 待研究的樣品表面被約2納米厚的天然氧化膜覆蓋。請注意，該值 由SE決定，因此由有效厚度決定。
圖1在(a) 1重量％中處理的GaP(OOl)的偽介電函數＜ 8(E))=(si(E))+l(g( E))的實數［(el(E))］和虛數［(E2(E))］部分,以及
(b)t=O(脫脂)和1分鐘的50 wt % HF溶液，以及清潔裸露GaP(粗實線)的 溶液。垂直箭頭表示每個臨界點(E0、El、E%和E2)的位置
實驗
圖1顯示了在(a) 1 wt %和(切50 wt % HF溶液中處理1分鐘的GaP( 001)表面的假介電函數光譜。連同從接收樣本(=0 s)獲得的數據。為了 比較，光譜(s(E))為干凈的。
積極地。由于沒有關于天然GaP氧化物光學常數的實驗數據，我們使用 了在稀釋的正磷酸/磷酸電解液中形成的陽極GaP氧化物的介電常數。22
圖2中的實線表示三層模型的分析結果，其中天然氧化物作為脫脂、 樣品的覆蓋層。測量的SE數據由空心圓繪制。虛線還顯示了干凈、近乎 陡峭的GaP表面的＜ e(E)＞光譜。 -
6=0.020.的
在圖3(a)中用實線示出了在1 wt % HF溶液中處理t=l分鐘的樣品的| 三層分析結果。實驗SE (e(E)＞數據用空心圓圈標出。分析得出dox=l.. 00 nm的表觀GaP氧化膜厚度，無偏估計量為在0度。
圖3
圖5。(彩色在線)大面積(1x1卩m2)自動聚焦顯微鏡圖像，從在Iwt%氟化氫溶液 中處理1分鐘的樣品獲得。從該圖像獲得的均方根粗糙度約為0.3納米。
結論
在鹽酸蝕刻GaP(lll)al7的情況下，在鹽酸處理后觀察到光致發 光強度的大幅度降低；即1.65電子伏的光致發光峰值強度通過鹽酸 蝕刻降低到約20%0表面復合速度是表征表面所需的唯一參數。
