131 1300 0010
埃因霍溫-2021年7月5日-恩智浦半導體( NXP Semiconductors N.V.，納斯達克代碼：NXPI)宣布氮化鎵(GaN)技術集成到其多芯片模塊平臺中，即5G能效領域的重要行業里程碑。位于亞利桑那州的恩智浦GaN晶圓廠是美國最先進的專業生產射頻功率放大器的晶圓廠，恩智浦率先推出5，基于公司對晶圓廠的大量投資G大規模MIMO射頻解決方案。該解決方案與G相結合aN多芯片模塊的高效性和緊湊性。
降低能耗是電信基礎設施的主要目標，每一個效率都至關重要。G用于多芯片模塊aN可在2.6 GHz將產品組合效率提高到頻率 52%，比公司上一代模塊高8個百分點。恩智浦在單個設備中使用專利組合LDMOS和GaN技術，進一步提高性能，可提供400 MHz寬帶射頻設計只能用一個功率放大器完成。
恩智浦小尺寸5G多芯片模塊現在可以實現上述能效和寬帶性能。新的產品組合將幫助射頻開發人員減少基站射頻單元的尺寸和重量，并幫助移動網絡運營商減少蜂窩塔和屋頂部署5G成本。模塊集成了多級發射鏈、50歐姆輸入/輸出匹配網絡和Doherty設計，并且恩智浦現在使用其最新的SiGe該技術增加了偏置控制。這一新的集成步驟使得無需使用單獨的模擬控制IC，可以更嚴格地監控和優化功率放大器的性能。
恩智浦執行副總裁兼無線電業務部總經理Paul Hart 說:恩智浦專門為5開發了G獨特的基礎設施技術工具箱，包括專有LDMOS、GaN和SiGe以及先進的包裝和射頻設計IP。這使得我們能夠利用每個元件的優勢，并以最優的方式將這些優勢結合起來。
與上一代模塊一樣，新的器件均引腳兼容。射頻工程師可以在多個頻段和功率級擴展單個功率放大器設計，縮短設計周期時間，從而在全球加速推出5G。
供貨時間
恩智浦新型5G多芯片模塊將在第三季度提供樣品，并在今年晚些時候開始大規模生產。恩智浦將推出基于這些產品的RapidRF前端(參考)設計系列射頻模擬有助于加速5G系統設計。
恩智浦的5G接入邊緣技術產品組合
恩智浦為加速5提供了強大的技術產品組合，從天線到處理器G部署，為基礎設施、工業和汽車應用提供一流的性能和安全性。包括恩智浦的Airfast射頻功率解決方案系列和Layerscape適用于無線數據鏈路、固定無線接入和小型基站設備。
