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? M5573A 是一款優(yōu)化的高性能高集成的用于反激式變換器的電流模式PWM 控制芯片，具備低待機(jī)功 耗和低成本的優(yōu)點(diǎn)。
? 正常工作下，PWM 開關(guān)頻率處于合理的范圍內(nèi)。在空載或輕載條件下，IC 就會工作在“跳周期模式” 來減少開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)低待機(jī)功耗和高轉(zhuǎn)換效率的實(shí)現(xiàn)。
? M5573A 提供全面的保護(hù)，包括自動恢復(fù)保護(hù)，逐周期電流限制（OCP），過載保護(hù)（OLP）、VDD 的欠壓鎖定（UVLO）、過溫保護(hù)（OTP），和過電壓（固定或可調(diào)的）保護(hù)（OVP）。
? M5573A 頻率抖動能實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的 EMI 性能。
? M5573A 在工作中消除了低于 20kHz 音頻噪聲的消除。
? M5573A 采用SOT-23-6 封裝。
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 典型應(yīng)用圖
特征
? 軟啟動功能，減少應(yīng)力功率 MOSFET VDS
? 降低EMI頻率抖動功能
? 跳周期模式控制的改進(jìn)，提高效率降低待機(jī)功耗
? 最小功率的備用電源設(shè)計(jì)
? 消除音頻噪聲
? 65khz的開關(guān)頻率
? 綜合保護(hù)性能
? 帶遲滯功能的VDD 欠壓保護(hù)
? 逐周的過流閾值設(shè)置，在全電壓范圍內(nèi)恒定輸出功率 ? 過載保護(hù)（OLP）與自動恢復(fù)
? 自動恢復(fù)的過溫保護(hù)（OTP）
? 自動恢復(fù)的VDD 過壓保護(hù)（OVP）
? 可通過外部齊納二極管過壓保護(hù)可調(diào)節(jié)的 OVP
適用于 AC/DC反激式變換器
? 手機(jī)充電器, 上網(wǎng)本充電器 ? 筆記本適配器
? 機(jī)頂盒電源
? 各種開放式開關(guān)電源
M5573A 是一款優(yōu)化的高性能高集成的用于反激式變換器的電流模式PWM 控制芯片，具備低待機(jī)功耗和 低成本的優(yōu)點(diǎn)，擴(kuò)展模式大大降低了待機(jī)功耗，方案設(shè)計(jì)適應(yīng)國際節(jié)能的要求。
? 啟動電流和啟動控制
M5573A 啟動電流非常低，便于獲取高于VDD 的 UVLO 值并迅速啟動。因此，高阻值啟動電阻可減少功 率損耗，并能在應(yīng)用中穩(wěn)定可靠的啟動。
? 工作電流
M5573A 工作電流低至1.4mA。跳周期模式與工作電流一起擴(kuò)展能實(shí)現(xiàn)較高效率。
? 軟啟動
M5573A 在通電時(shí)觸發(fā)一個(gè)4ms 的軟啟動來降低啟動時(shí)的應(yīng)力。當(dāng) VDD 達(dá)到 VDD_ON，SEN 尖峰電壓 由 0.15V 逐漸升高增至最大。每次重啟后都會重新軟啟動。
? 頻率抖動干擾的改進(jìn)
M5573A 集成了頻率抖動（開關(guān)頻率調(diào)制）功能進(jìn)行擴(kuò)頻，最大限度地降低了EMI 帶寬，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
? 跳周期模式操作
在輕載或空載狀態(tài)，開關(guān)電源的功耗來源于開關(guān) MOSFET 的損耗、變壓器磁心損耗和啟動電路損耗，功 率損耗的大小在于開關(guān)頻率的比例。較低的開關(guān)頻率，能降低功率損耗，從而節(jié)約了能源。
開關(guān)頻率在空載或輕載條件下自行調(diào)節(jié)，降低開關(guān)頻率在輕載、空載的情況下可以提高轉(zhuǎn)換效率。只有當(dāng) VDD 電壓下降到低于預(yù)先設(shè)定的值且 COMP 電壓處在適當(dāng)狀態(tài)的時(shí)候，DRV 驅(qū)動才處于打開狀態(tài)，否則， DRV 驅(qū)動將處于關(guān)閉狀態(tài)來最大程度的降低開關(guān)損耗和待機(jī)損耗。
開關(guān)頻率的控制消除了在任何負(fù)載條件下的噪聲。
? 振蕩器
開關(guān)頻率固定在 65kHz ，PCB 設(shè)計(jì)簡化。無需外部元件的頻率。
? 電流檢測和前沿消隱
M5573A 是current 模式PWM 控制，提供逐周期電流限制。開關(guān)電流是通過一個(gè)電阻接到SEN 引腳來檢 測。內(nèi)部的前沿消隱電路會屏蔽掉電壓尖峰內(nèi)部功率MOSFET 的初始狀態(tài)，由于緩沖二極管反向恢復(fù)電 流和DRV 功率MOSFET 浪涌電流造成的檢測電壓尖峰，導(dǎo)致電流限制比較器被屏蔽，無法關(guān)斷功率 MOSFET。PWM 的占空比是由 SEN 電流檢測輸入電壓和COMP 輸入電壓計(jì)算確定的。
? 內(nèi)部同步斜坡補(bǔ)償
內(nèi)部斜坡補(bǔ)償電路是將一個(gè)斜坡電壓加入SEN 引腳輸入電壓來幫忙生成PWM 信號，它大大提高了在 CCM 下的閉環(huán)穩(wěn)定性，防止次諧波振蕩，從而降低輸出紋波電壓。
? 驅(qū)動
功率MOSFET 是由專用DRV 驅(qū)動功率開關(guān)驅(qū)動控制。DRV 驅(qū)動強(qiáng)度越弱，功率管的導(dǎo)通損耗和MOSFET 開關(guān)損耗就越大；而DRV 驅(qū)動越強(qiáng)，直接影響EMI 性能。
一個(gè)很好的權(quán)衡方法為通過內(nèi)置的圖騰柱柵驅(qū)動設(shè)計(jì)，適當(dāng)?shù)尿?qū)動能力和DRV 設(shè)計(jì)合適的死區(qū)時(shí)間來實(shí) 現(xiàn)控制。通過這種設(shè)計(jì)很容易達(dá)到良好的電磁系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和降低空載損耗的目的。
? 保護(hù)控制
好的電源系統(tǒng)的可靠性需要有自動恢復(fù)特性的保護(hù)功能，包括逐周期電流限制（OCP），過載保護(hù)（OLP） 和 VDD 的欠壓保護(hù)）；無鎖存關(guān)閉功能還包括過溫保護(hù)（OTP），固定或可調(diào)的VDD 電壓保護(hù)（OVP）。 在全電范圍內(nèi)，OCP 被補(bǔ)償后達(dá)到恒定輸出功率。
在過載條件下，當(dāng)COMP 輸入電壓超過TD_PL 功率極限閾值時(shí)，控制電路會關(guān)閉轉(zhuǎn)換器。只有在輸入電 壓低于閾值功率極限后才重新啟動。
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