總體來講，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍 然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業自動化場合，功率電子器件已越來越 多地使用 MOSFET 和 IGBT，特別是 IGBT 獲得了更多的使用，開始全面取代可控硅來做為 新型的功率控制器件。
100-1000。飽和壓降大，速度慢。下圖虛線部 分即是達林頓管。
圖1-1：達林頓管應用
實際比較常用的是達林頓模塊，它把 GTR、續流二極管、輔助電路做到
一個模塊內。在較早期的功率電子設備中，比較多地使用了這種器件。圖 1-2 是這種器件的內部典型結構。
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圖1-2：達林頓模塊電路典型結構
兩個二極管左側是加速二極管，右側為續流二極管。加速二極管的原理是引進了電 流串聯正反饋，達到加速的目的。
這種器件的制造水平是 1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz 左右（參考）。
三． 可控硅 SCR
可控硅在大電流、高耐壓場合還是必須的，但在常規工業控制的低壓、中小電流控 制中，已逐步被新型器件取代。
目前的研制水平在 12KV/8000A 左右（參考）。
由于可控硅換流電路復雜，逐步開發了門極關斷晶閘管GTO。制造水平達到 8KV/8KA，
頻率為 1KHz左右。
無論是 SCR 還是 GTO，控制電路都過于復雜，特別是需要龐大的吸收電路。而且，
速度低，因此限制了它的應用范圍拓寬。
集成門極換流晶閘管IGCT和MOS關斷晶閘管之類的器件在控制門極前使用了MOS柵，
從而達到硬關斷能力。
四． 功率 MOSFET
又叫功率場效應管或者功率場控晶體管。
其特點是驅動功率小，速度高，安全工作區寬。但高壓時，導通電阻與電壓的平方
成正比，因而提高耐壓和降低高壓阻抗困難。
適合低壓 100V 以下，是比較理想的器件。
目前的研制水平在 1000V/65A 左右（參考）。商業化的產品達到 60V/200A/2MHz、 500V/50A/100KHz。是目前速度最快的功率器件。
五． IGBT
又叫絕緣柵雙極型晶體管。
這種器件的特點是集 MOSFET 與 GTR 的優點于一身。輸入阻抗高，速度快，熱穩定性
好。通態電壓低，耐壓高，電流大。
目前這種器件的兩個方向：一是朝大功率，二是朝高速度發展。大功率 IGBT 模塊達 到 1200-1800A/1800-3300V 的水平（參考）。速度在中等電壓區域（370-600V），可達 到 150-180KHz。
它的電流密度比 MOSFET 大，芯片面積只有 MOSFET 的 40%。但速度比 MOSFET 低。
盡管電力電子器件發展過程遠比我們現在描述的復雜，但是 MOSFET 和 IGBT，特別 是 IGBT 已經成為現代功率電子器件的主流。因此，我們下面的重點也是這兩種器件。
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